有源晶振的各項(xiàng)常規(guī)參數(shù)
來(lái)源：http://www.techzozo.com 作者：金洛電子 2014年08月09
一般來(lái)說(shuō),晶振不以有源無(wú)源來(lái)分類(lèi),只有客戶端工程師才會(huì)這樣子叫.客戶端工程師所說(shuō)的晶振其實(shí)就是晶體諧振器和晶體振蕩器的統(tǒng)稱.
振蕩器也可以分為插件(DIP)和貼片(SMD),插件如長(zhǎng)方形的DIP14封裝,正方形的DIP8封裝等,貼片有5*7, 3.2*5等封裝.
石英晶體振蕩器分為普通晶體振蕩(SPXO),電壓控制式晶體振蕩器(VCXO),溫度補(bǔ)償式晶體振蕩(TCXO),恒溫控制式晶體振蕩(OCXO)..jpg)
普通晶體振蕩器(SPXO)可產(chǎn)生10^(-5)～10^(-4)量級(jí)的頻率精度,標(biāo)準(zhǔn)頻率1—100MHZ,頻率穩(wěn)定度是±100ppm.SPXO沒(méi)有采用任何溫度頻率補(bǔ)償措施,價(jià)格低廉,通常用作微處理器的時(shí)鐘器件.封裝尺寸范圍從21×14×6mm及5×3.2×1.5mm.
電壓控制式晶體振蕩器(VCXO)的精度是10^(-6)～10^(-5)量級(jí),頻率范圍1~30MHz.低容差振蕩器的頻率穩(wěn)定度是±50ppm.通常用于鎖相環(huán)路.封裝尺寸14×10×3mm
溫度補(bǔ)償式晶體振蕩器(TCXO)采用溫度敏感器件進(jìn)行溫度頻率補(bǔ)償,頻率精度達(dá)到10^(-7)~10^(-6)量級(jí),頻率范圍1-60MHz,頻率穩(wěn)定度為±0.1~±2.5ppm,封裝尺寸如DIP14,DIP8等,通常用于手持電話、蜂窩電話、雙向無(wú)線通信設(shè)備等.
恒溫控制式晶體振蕩器(OCXO)將晶體和振蕩電路置于恒溫槽中,以消除環(huán)境溫度變化對(duì)頻率的影響.OCXO頻率精度是10^(-10)至10^(-8)量級(jí),對(duì)某些特殊應(yīng)用甚至達(dá)到更高.頻率穩(wěn)定度在四種類(lèi)型振蕩器中最高.
專(zhuān)業(yè)人員都知道晶振的主要幾個(gè)參數(shù)無(wú)非就是頻點(diǎn),PPM精度值,負(fù)載電容和溫度穩(wěn)定性.晶振的好壞全看這幾項(xiàng)參數(shù).
調(diào)整頻差(Frequency Tolerance):在規(guī)定條件下,在基準(zhǔn)溫度(25±2℃)與標(biāo)稱頻率允許的偏差.一般用ppm(百萬(wàn)分之)表示.
負(fù)載電容(Load Capacitance):與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容,通常用CL表示.
頻率溫度穩(wěn)定性:在標(biāo)稱電源和負(fù)載下,工作在規(guī)定溫度范圍內(nèi)的不帶隱含基準(zhǔn)溫度或帶隱含基準(zhǔn)溫度的最大允許頻偏.
開(kāi)機(jī)特性(頻率穩(wěn)定預(yù)熱時(shí)間):指開(kāi)機(jī)后一段時(shí)間(如五分鐘)的頻率到開(kāi)機(jī)后另一段時(shí)間(如半小時(shí))的頻率變化率,表達(dá)了晶振達(dá)到穩(wěn)定的速度.
頻率老化率:在恒定的環(huán)境條件下測(cè)量振蕩器頻率時(shí),振蕩器頻率和時(shí)間之間的關(guān)系.這種長(zhǎng)期頻率漂移是由晶體元件和振蕩器元件的緩慢變化造成的.因此其頻率偏移的速度叫老化率,可用規(guī)定的時(shí)限后的最大變化率,或規(guī)定的時(shí)限內(nèi)最大的總頻率變化.
單邊帶相位噪聲￡(f):偏離載波f處,一個(gè)相位調(diào)制邊帶的功率密度與載波功率之比.
頻率壓控范圍:將頻率控制電壓從基準(zhǔn)電壓調(diào)到規(guī)定的終點(diǎn)電壓,晶體振蕩器頻率的最小峰值改變量.
率壓控線性:與理想(直線)函數(shù)相比的輸出頻率,輸入控制電壓傳輸特性的一種量度,以百分?jǐn)?shù)表示整個(gè)范圍頻偏的可容許非線性度.
老化率:隨著時(shí)間的推移,頻率值隨著變化的大小,有年老化和日老化兩種指標(biāo), 也有一些廠家提到10年或20年老化率的指標(biāo)；
諧振器分為插件和貼片晶振,一般都需要外接元件組成振蕩電路.
振蕩器也可以分為插件(DIP)和貼片(SMD),插件如長(zhǎng)方形的DIP14封裝,正方形的DIP8封裝等,貼片有5*7, 3.2*5等封裝.
石英晶體振蕩器分為普通晶體振蕩(SPXO),電壓控制式晶體振蕩器(VCXO),溫度補(bǔ)償式晶體振蕩(TCXO),恒溫控制式晶體振蕩(OCXO).
普通晶體振蕩器(SPXO)可產(chǎn)生10^(-5)～10^(-4)量級(jí)的頻率精度,標(biāo)準(zhǔn)頻率1—100MHZ,頻率穩(wěn)定度是±100ppm.SPXO沒(méi)有采用任何溫度頻率補(bǔ)償措施,價(jià)格低廉,通常用作微處理器的時(shí)鐘器件.封裝尺寸范圍從21×14×6mm及5×3.2×1.5mm.
電壓控制式晶體振蕩器(VCXO)的精度是10^(-6)～10^(-5)量級(jí),頻率范圍1~30MHz.低容差振蕩器的頻率穩(wěn)定度是±50ppm.通常用于鎖相環(huán)路.封裝尺寸14×10×3mm
溫度補(bǔ)償式晶體振蕩器(TCXO)采用溫度敏感器件進(jìn)行溫度頻率補(bǔ)償,頻率精度達(dá)到10^(-7)~10^(-6)量級(jí),頻率范圍1-60MHz,頻率穩(wěn)定度為±0.1~±2.5ppm,封裝尺寸如DIP14,DIP8等,通常用于手持電話、蜂窩電話、雙向無(wú)線通信設(shè)備等.
恒溫控制式晶體振蕩器(OCXO)將晶體和振蕩電路置于恒溫槽中,以消除環(huán)境溫度變化對(duì)頻率的影響.OCXO頻率精度是10^(-10)至10^(-8)量級(jí),對(duì)某些特殊應(yīng)用甚至達(dá)到更高.頻率穩(wěn)定度在四種類(lèi)型振蕩器中最高.
專(zhuān)業(yè)人員都知道晶振的主要幾個(gè)參數(shù)無(wú)非就是頻點(diǎn),PPM精度值,負(fù)載電容和溫度穩(wěn)定性.晶振的好壞全看這幾項(xiàng)參數(shù).
調(diào)整頻差(Frequency Tolerance):在規(guī)定條件下,在基準(zhǔn)溫度(25±2℃)與標(biāo)稱頻率允許的偏差.一般用ppm(百萬(wàn)分之)表示.
負(fù)載電容(Load Capacitance):與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容,通常用CL表示.
頻率溫度穩(wěn)定性:在標(biāo)稱電源和負(fù)載下,工作在規(guī)定溫度范圍內(nèi)的不帶隱含基準(zhǔn)溫度或帶隱含基準(zhǔn)溫度的最大允許頻偏.開(kāi)機(jī)特性(頻率穩(wěn)定預(yù)熱時(shí)間):指開(kāi)機(jī)后一段時(shí)間(如五分鐘)的頻率到開(kāi)機(jī)后另一段時(shí)間(如半小時(shí))的頻率變化率,表達(dá)了晶振達(dá)到穩(wěn)定的速度.
頻率老化率:在恒定的環(huán)境條件下測(cè)量振蕩器頻率時(shí),振蕩器頻率和時(shí)間之間的關(guān)系.這種長(zhǎng)期頻率漂移是由晶體元件和振蕩器元件的緩慢變化造成的.因此其頻率偏移的速度叫老化率,可用規(guī)定的時(shí)限后的最大變化率,或規(guī)定的時(shí)限內(nèi)最大的總頻率變化.
單邊帶相位噪聲￡(f):偏離載波f處,一個(gè)相位調(diào)制邊帶的功率密度與載波功率之比.
頻率壓控范圍:將頻率控制電壓從基準(zhǔn)電壓調(diào)到規(guī)定的終點(diǎn)電壓,晶體振蕩器頻率的最小峰值改變量.
率壓控線性:與理想(直線)函數(shù)相比的輸出頻率,輸入控制電壓傳輸特性的一種量度,以百分?jǐn)?shù)表示整個(gè)范圍頻偏的可容許非線性度.
老化率:隨著時(shí)間的推移,頻率值隨著變化的大小,有年老化和日老化兩種指標(biāo), 也有一些廠家提到10年或20年老化率的指標(biāo)；
諧振器分為插件和貼片晶振,一般都需要外接元件組成振蕩電路.
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