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首頁(yè)金洛博客 溫補(bǔ)晶振遇難時(shí)的自救準(zhǔn)則

溫補(bǔ)晶振遇難時(shí)的自救準(zhǔn)則

來源：http://www.techzozo.com 作者：jinluodz 2013年10月29

    壓電晶體行業(yè)發(fā)展逐漸進(jìn)入細(xì)分時(shí)代，占據(jù)的市場(chǎng)空間無法以阿拉伯?dāng)?shù)字比擬。在這細(xì)分的年代，晶振被分為貼片晶振，石英晶振等均為代表。但由于人們追求享受于高端產(chǎn)品帶來的歡樂時(shí)，同時(shí)也引發(fā)了許多企業(yè)的關(guān)注，這勢(shì)必會(huì)加快高端產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)急劇增加。
    所謂的高端產(chǎn)品無非就有源晶振的代理名詞，在有源晶振中，溫補(bǔ)晶振使用的范疇多為廣泛，像生活中的GPS衛(wèi)星導(dǎo)航儀等等高端產(chǎn)品就用此款晶體。我司為KDS一級(jí)代理商，針對(duì)于溫補(bǔ)晶振系列，為了方便于大眾查閱，特整理出來供參考。
型號(hào) 頻率 規(guī)格
DSB221SCM 9.6~52MHZ 2.5×2.0×0.8 mm
DSB221SDM 9.6~52 MHZ 2.5×2.0×0.8 mm
DSB221SDB 9.6~52 MHZ 2.5×2.0×0.8 mm
DSB221SDT 9.6~52 MHZ 2.5×2.0×0.8 mm
DSB221SLB 9.6~40 MHZ 2.5×2.0×0.8 mm
DSB321SCM 9.6~52 MHZ 3.2×2.5×0.9 mm
DSB321SDM 9.6~52 MHZ 3.2×2.5×0.9 mm
DSB321SDB 9.6~52 MHZ 3.2×2.5×0.9 mm
DSB321SLB 9.6~40 MHZ 3.2×2.5×0.9 mm
  然而每個(gè)溫補(bǔ)晶振產(chǎn)品在做完整之前都需要經(jīng)過很多工序的檢測(cè)，電路板設(shè)有晶振的電子產(chǎn)品在檢漏工序中，就是在酒精加壓的環(huán)境下，容易產(chǎn)生碰殼現(xiàn)象，即振動(dòng)時(shí)芯片跟外殼容易相碰，從而晶體容易發(fā)生時(shí)振時(shí)不振或停振。然而金洛電子此歸類出幾點(diǎn)正確的處理方法如下：
    1、嚴(yán)格按照技術(shù)要求的規(guī)定，對(duì)石英晶體組件進(jìn)行檢漏試驗(yàn)以檢查其密封性，及時(shí)處理不良品并分析原因；
    2、壓封工序是將調(diào)好的諧振件在氮?dú)獗Ｗo(hù)中與外殼封裝起來，以穩(wěn)定石英晶體諧振器的電氣性能。在此工序應(yīng)保持送料倉(cāng)、壓封倉(cāng)和出料倉(cāng)干凈，壓封倉(cāng)要連續(xù)沖氮?dú)?，并在壓封過程中注意焊頭磨損情況及模具位置，電壓、氣壓和氮?dú)饬髁渴欠裾＃駝t及時(shí)處理。其質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)為：無傷痕、毛刺、頂坑、彎腿，壓印對(duì)稱不可歪斜。
    3、由于石英晶振是被動(dòng)組件，它是由IC提供適當(dāng)?shù)募?lì)功率而正常工作的，因此，當(dāng)激勵(lì)功率過低時(shí)，晶體不易起振，過高時(shí)，便形成過激勵(lì)，使石英芯片破損，引起停振。所以，應(yīng)提供適當(dāng)?shù)募?lì)功率。另外，有功負(fù)載會(huì)消耗一定的功率，從而降低晶體Q值，從而使晶體的穩(wěn)定性下降，容易受周邊有源組件影響，處于不穩(wěn)定狀態(tài)，出現(xiàn)時(shí)振時(shí)不振現(xiàn)象，所以，外加有功負(fù)載時(shí)，應(yīng)匹配一個(gè)比較合適有功負(fù)載。
    4、控制好剪腳和焊錫工序，并保證基座絕緣性能和引腳質(zhì)量，引腳鍍層光亮均勻無麻面，無變形、裂痕、變色、劃傷、污跡及鍍層剝落。為了更好地防止單漏，可以在晶體下加一個(gè)絕緣墊片。
    5、當(dāng)晶體產(chǎn)生頻率漂移而且超出頻差范圍時(shí)，應(yīng)檢查是否匹配了合適的負(fù)載電容，可以通過調(diào)節(jié)晶體的負(fù)載電容來解決。

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