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晶振系列

首頁進口晶振EPSON晶振,SG3225VAN晶振,差分輸出晶振,晶體振蕩器,SG3225VAN 100.000000M-KEGA3

    EPSON晶振,SG3225VAN晶振,差分輸出晶振,晶體振蕩器,SG3225VAN 100.000000M-KEGA3

  • 規(guī)格型號:37820048
  • 頻率:73.500MHz~700.000MHz
  • 尺寸:3.2*2.5*1.05mm 詳細資料請查看PDF
  • PDF
  • 產品描述:被廣泛應用于平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道, “SG3225VAN 100.000000M-KEGA3”千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,等領域.符合RoHS/無鉛.

EPSON晶振,SG3225VAN晶振,差分輸出晶振,晶體振蕩器“SG3225VAN 100.000000M-KEGA3”
參數(shù):頻率范圍73.500MHZ-700.000MHZ
電源電壓:2.5V

頻率老化:  ±5ppm
工作溫度: -40℃~+85℃
保存溫度: -40℃~+125℃
精度 ±20ppm、±30ppm、±50ppm
輸出方式:LVDS
尺寸:超輕型設計3.2*2.5*1.05
應用:智能家用電器、數(shù)碼IT產品、安防設備、車載導航儀、千兆以太網(wǎng)、網(wǎng)絡路由器、光纖通信等產品。

           愛普生拓優(yōu)科夢(Epson — yocom)將進一步究極用精微加工發(fā)揮“石英”材料的優(yōu)越性能的“QMEMS”技術,“SG3225VAN 100.000000M-KEGA3”創(chuàng)造出更小、更高性能或全新功能的元器件;在2010年全球晶振廠家排名中,占據(jù)首位.愛普生僅此一項水晶振動子行業(yè)就能足矣讓電子世界的人都敬佩不已.愛普生晶振以32.768KHZ晶振稱霸晶振行業(yè),主要消費在手機,PCB,等電子產品.


       EPSON晶振,SG3225VAN晶振,差分輸出晶振,晶體振蕩器,“SG3225VAN 100.000000M-KEGA3”是一款輸出方式為LVDS的有源晶振,頻點的范圍高達73.500MHz~700.000MHz之間可以選擇,工作時溫度特性是-40~+-85℃,也就是說在這個溫度范圍內,SG3225VAN晶振的啟振時長為3ms,常用的電源電壓是2.5V和3.3V的,非常的低功耗。

晶振型號/輸出類型 SG3225VAN晶振,石英晶體振蕩器
晶振類型 SPXO振蕩器
占空比 45 % ~ 55 %
振蕩模式 基本/第三泛音
電源電壓 5.0V
頻率范圍2 100.000MHZ-175.000MHZ
頻率穩(wěn)定度 ±50ppm
工作溫度 -40~+85℃
保存溫度 -55~+125℃
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) 0.1VDD/0.9VDD
啟動時間 3 ms Max.
相位抖動(12千赫?20兆赫) 1個PS最大。
老化率 ±3 ppm /年最大。




“SG3225VAN 100.000000M-KEGA3”存儲事項
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存石英晶體產品時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。 
正常溫度和濕度: 
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH
(2) 請仔細處理內外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品。如需在+150°C以上焊接晶體產品,建議使用SMD產品。在下列回流條件下,對晶體產品甚至SMD晶振產品使用更高溫度,會破壞產品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產品之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶體產品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關信息。
自動安裝時的沖擊
自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產品特性并影響這些產品。請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對產品特性產生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保貼片晶振產品未撞擊機器或其他電路板等。

1.驅動能力
驅動能力說明所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2.Re
其中i表示經過單元的電流,
Re表示石英振蕩器單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

 
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則這款晶振會增加啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極
注意事項-振蕩補償.png
3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致這款貼片晶振的頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。

電容特征.png

頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設置參考.png
                           振蕩回路參數(shù)設置參考

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