晶振系列
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陶瓷霧化片 wuhuapian
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陶瓷晶振 taocijingzhen
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32.768K Clock crystal
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貼片晶振 SMDcrystal
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石英晶振 Quartz Crystal
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聲表面濾波器 Quartz Crystal
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聲表面諧振器 resonator
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陶瓷濾波器 taocilvboqi
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KDS晶振 KDS CRYSTAL
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精工晶振 SEIKO CRYSTAL
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村田晶振 muRata CRYSTAL
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西鐵城晶振 CITIZEN CRYSTAL
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愛普生晶振 EPSON CRYSTAL
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微孔霧化片 微孔霧化片
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臺灣加高晶體 H.ELE
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進口京瓷晶體 KYOCERA
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日本NDK晶體 進口NDK晶體
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日本大河晶體 RIVER
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美國CTS晶體 CTS石英晶體
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臺灣希華晶體 臺灣希華
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臺灣鴻星晶體 HOSONIC
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臺灣TXC晶體 TXC CRYSTAL
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臺灣泰藝晶體 TAITIEN CRYSTAL
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臺灣亞陶晶體 百利通亞陶
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臺灣NSK晶體 NSK CRYSTAL
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瑪居禮晶振 臺灣瑪居禮晶振
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富士晶振 日本富士貼片晶振
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SHINSUNG晶振 韓國進口SHINSUNG晶振
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SMI晶振 日本SMI貼片晶振
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Lihom晶振 韓國Lihom晶振
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NAKA晶振 日本納卡株式會社晶振
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AKER晶振 臺灣安碁貼片晶振
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NKG晶振 NKG石英晶振
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NJR晶振 日本NJR晶振
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Sunny晶振 Sunny CRYSTAL
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Statek晶振 Statek貼片晶體
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Pletronics晶振 Pletronics CRYSTAL
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Jauch晶振 Jauch Crystal
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日蝕晶振 Ecliptek Crystal
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IDT晶振 IDT進口晶振
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格林雷晶振 Greenray恒溫晶振
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高利奇晶振 Golledge石英晶體振蕩器
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維管晶振 Vectron Crystal
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拉隆晶振 Raltron CRYSTAL
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瑞康晶振 Rakon石英晶體
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康納溫菲爾德晶振 ConnorWinfield Crystal
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ECS晶振 ECS CRYSTAL
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Abracon晶振 Abracon 石英振蕩器
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CTS晶振 西迪斯晶振
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SiTime晶振 SiTime可編碼振蕩器
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微晶晶振 Microcrystal Crystal
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AEK晶振 AEK CRYSTAL
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AEL晶振 AEL CRYSTAL
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Cardinal晶振 Cardinal貼片晶體
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Crystek晶振 Crystek石英晶振
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Fox晶振 Fox有源晶振
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Frequency晶振 Frequency Crystal
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GEYER晶振 GEYER CRYSTAL
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KVG晶振 KVG石英晶體
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ILSI晶振 ILSI CRYSTAL
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Euroquartz晶振 Euroquartz crystal
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MMDCOMP晶振 MMDCOMP貼片晶振
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MtronPTI晶振 MtronPTI晶體諧振器
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QANTEK晶振 QANTEK石英晶振
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QuartzCom晶振 QuartzCom石英晶體
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Quarztechnik晶振 Quarztechnik Crystal
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Suntsu晶振 Suntsu石英貼片晶振
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Transko晶振 Transko crystal
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Wi2Wi晶振 Wi2Wi Crystal
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Rubyquartz晶振 進口Rubyquartz CRYSTAL
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ACT晶振 ACT石英晶振
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Oscilent晶振 Oscilent CRYSTAL
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ITTI晶振 ITTI石英晶體諧振器
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MTI-milliren晶振 MTI Crystal
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PDI晶振 PDI CRYSTAL
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IQD晶振 IQD CRYSTAL
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Microchip晶振 Microchip crystal
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Silicon晶振 Silicon Crystal
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安德森晶振 Anderson Crystal
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富通晶振 Fortiming Crystal
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CORE晶振 CORE CRYSTAL
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NIPPON晶振 NIPPON石英晶體振蕩器
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NIC晶振 NIC Crystal
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QVS晶振 QVS CRYSTAL
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Bomar晶振 Bomar Crystal
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Bliley晶振 Bliley Crystal
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GED晶振 GED CRYSTAL
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FILTRONETICS晶振 FILTRONETICS CRYSTAL
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Standard晶振 Standard Crystal
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Q-Tech晶振 美國Q-Tech晶振
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Wenzel晶振 Wenzel Crystal
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NEL晶振 美國NEL晶振
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EM晶振 EM CRYSTAL
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PETERMANN晶振 PETERMANN CRYSTAL
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FCD-Tech晶振 荷蘭晶振FCD-Tech
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HEC晶振 HEC CRYSTAL
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FMI晶振 FMI CRYSTAL
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麥克羅比特晶振 Macrobizes Crystal
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AXTAL晶振 AXTAL CRYSTAL
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ARGO晶振 ARGO晶振公司是專業(yè)提供和設(shè)計波段頻率控制設(shè)備和微波無線通信零部件.我們還分銷日本,歐洲和美國的一些知名品牌零部件.我們致力于發(fā)展與計算機,IT和無線通信公司無任何界限的信息時代.我們秉承經(jīng)營者的踏實,誠懇的態(tài)度,互惠互利的精神,實現(xiàn)共贏的目標(biāo),以誠信為本,誠信為本,公平交易為宗旨,以誠信,勤勉,誠信,精神質(zhì)量第一,客戶滿意的經(jīng)營理念,將以優(yōu)良的產(chǎn)品質(zhì)量,優(yōu)惠的價格,優(yōu)質(zhì)的服務(wù)與您建立長期穩(wěn)定的合作關(guān)系,共創(chuàng)輝煌事業(yè).
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SKYWORKS晶振
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Renesas瑞薩晶振
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貼片石英晶振 SMD CRYSTAL
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貼片陶瓷晶振 SMD 陶振
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有源晶振 Oscillator
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石英晶體振蕩器 OSC石英晶體振蕩器
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壓控晶振 VCXO進口晶振
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壓控溫補晶振 VC-TCXO CRYSTAL
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恒溫晶振 OCXO有源晶振
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差分晶振 差分石英晶體振蕩器
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數(shù)碼產(chǎn)品
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醫(yī)療產(chǎn)品
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汽車產(chǎn)品
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移動產(chǎn)品
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智能家居
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網(wǎng)絡(luò)設(shè)備
- 規(guī)格型號:67885477
- 頻率:7.980MHz~12.000MHz
- 尺寸:3.2*2.5*1.0mm
- 產(chǎn)品描述:適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如汽車電子,智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,辦公自動化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless ...
NDK晶振,貼片晶振,NX3225GD晶振,石英晶體諧振器


NDK晶振,貼片晶振,NX3225GD晶振,石英晶體諧振器
頻率范圍:7.98MHZ-12MHZ
負(fù)載電容: 8pF
串聯(lián)電阻: Refer to*1
工作溫度: - 40 ~ + 150 ℃
保存溫度: - 40~ + 150 ℃
精度 +/-50PPM
激勵電平: 10μW (Max.200μW)
尺寸:小體積3.2*2.5*1.0
應(yīng)用:汽車電子,智能醫(yī)療,安防,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途
日本電波工業(yè)株式會社作為晶體元器件的專業(yè)生產(chǎn)廠家,以“通過對客戶的服務(wù),為社會繁榮和世界和平作出貢獻”的創(chuàng)業(yè)理念為基礎(chǔ)于1948年成立。晶振技術(shù)的傳感器等新的高附加價值產(chǎn)品的頻率綜合生產(chǎn)廠家,正以企業(yè)的繼續(xù)成長為目標(biāo)而努力。NDK集團作為頻率的綜合生產(chǎn)企業(yè),為了向客戶提供高信賴性品質(zhì)的產(chǎn)品,我們始終追求最高品質(zhì)的產(chǎn)品生產(chǎn)和服務(wù)。
NDK晶振,貼片晶振,NX3225GD晶振,石英晶體諧振器.3225mm體積貼片晶振適用于汽車電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,本產(chǎn)品已被確定的高信賴性最適合用于汽車電子部件,晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
品規(guī)格參數(shù)圖.jpg)
NDK晶振型號 | NX3225GD晶振 |
頻率范圍 | 7.98MHZ-12MHZ |
頻率公差(25℃) | ±50ppm的,可指定 |
頻率穩(wěn)定度超過工作溫度范圍 | ±150ppm的,可指定 |
操作溫度范圍 | -40~+ 150℃,可指定 |
激勵電平 | 10μW (Max.200μW) |
驅(qū)動電平 | 1~200μW(μW100典型) |
負(fù)載電容 | 8pF,可指定 |
老化(25℃) | ±3 ppm /年最大。 |
存儲溫度范圍 | -40~+150℃ |
品尺寸圖.jpg)


超聲波清洗
品工作條件.jpg)
設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明貼片晶振單元所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力(p)=i2.Re
其中i表示晶體單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,
而且 Re=R1(1-Co/CL)2.
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會增加SMD晶振振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。
3. 負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致NDK貼片晶振振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。

系我們.jpg)
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